VD MOSFET
芯长征的VD MOSFET——兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件。
芯长征VD MOSFET，采用条形元胞结构，通过在工艺上对N-JFET的调整，减小JFET效应，使器件的导通电阻减小，从而降低了器件工作时的温升，提高了系统的转换效率，同时在EAS能力方面具有较大优势，产品的电压覆盖范围500V~800V，电流覆盖2A~25安培，可提供更多的产品选择。
产品特点:
·低Crss和低Qg, 降低开关损耗；
·低导通阻抗，降低导通损耗 ；
·高抗浪涌能力
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VD MOSFETS
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