SGT MOSFET又名屏蔽栅MOSFET,是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件,是一种非常适合中低压应用的高性能器件。
芯长征科致力于开发高性能SGT MOSFET产品,目前覆盖40V~200V,最大电流达到300A,并且通过优化器件寄生电容,实现了极低FOM (RDSON*Qg) 优值产品。
产品特点:
·低导通电阻,低FOM(RDSON*Qg),高EAS能力
SGT MOSFETS
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SGT MOSFET又名屏蔽栅MOSFET,是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件,是一种非常适合中低压应用的高性能器件。
芯长征科致力于开发高性能SGT MOSFET产品,目前覆盖40V~200V,最大电流达到300A,并且通过优化器件寄生电容,实现了极低FOM (RDSON*Qg) 优值产品。
产品特点:
·低导通电阻,低FOM(RDSON*Qg),高EAS能力
SGT MOSFETS
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